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n 沟道 mosfet
≤30v 最大 bvdss
40v 至 100v 最大 bvdss
femtofet™ mosfet
非常适合节省空间和延长电池寿命。
p 沟道 mosfet
≤20v 最大 bvdss
femtofet™ mosfet
非常适合节省空间和延长电池寿命。
电源块
用于电源的电源块
电源块将两个 mosfet 集成到单个 powerstack™ 封装中，从而消除寄生电感并提高效率。
用于电机控制的电源块
我们的 dualcool™ 封装可将 pcb 空间减少 50%，实现高电流能力，并具有超低导通电阻，从而更大限度地降低导通损耗。
了解有关我们的 mosfet 的更多信息
自 20 世纪 80 年代中期开始，非钳位电感式开关 (uis) 额定值普遍应用在 mosfet 数据表中。事实证明，该参数非常实用。虽然在实际应用中不建议 fet 重复发生雪崩，但工程师已经学会了使用该指标来避免在设计中使用可能会导致问题的较弱器件。
应用手册
了解支持功率 mosfet 设计所需的所有文献和工具。
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视频系列
了解关于选择 mosfet 并进行相关设计来加快产品上市步伐的基本提示和技巧。
技术文章
了解如何解读 mosfet 数据表上的 uis/雪崩额定值。
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可以通过 5 个不同的限制条件得出 mosfet soa，即电阻、电流、最大功率、热不稳定性和 mosfet 电压。了解如何解读 mosfet 数据表上的 soa 曲线。
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技术文章
了解如何解读 mosfet 数据表上的 soa 曲线。
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了解 mosfet 电流额定值的测量方法并不像确定 rds(on) 和栅极电荷等参数那样，而是通过计算得出，并可以通过多种不同的方式得出。
应用手册
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了解 mosfet 电流额定值的测量方法并不像确定 rds(on) 和栅极电荷等参数那样，而是通过计算得出，并可以通过多种不同的方式得出。
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了解 mosfet 数据表中显示的其他开关参数以及它们与器件整体性能的关系（或没有关系）。
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了解 mosfet 数据表中显示的其他开关参数以及它们与器件整体性能的关系（或没有关系）。
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mosfet 在电路中的性能在很大程度上取决于器件的热性能。
通过 fet 数据表了解结至环境热阻抗和结至外壳热阻抗参数并了解这些数值是如何得出的。
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技术文章
通过 fet 数据表了解结至环境热阻抗和结至外壳热阻抗参数。
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了解如何快速权衡尺寸、成本和性能，根据应用条件选择合适的 mosfet。一位 ti mosfet 应用专家介绍了众多基于应用的 mosfet 功率损耗工具中的一个示例。
应用手册
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技术资源
应用手册
mosfet 支持和培训工具 (rev. e)
了解支持功率 mosfet 设计所需的所有文献和工具。
应用手册
关于减小 nexfet 功率 mosfet 震荡的方法
该应用手册讨论了开关节点振铃的来源、准确表征该振铃的测量技术以及在保持出色系统性能的同时更大程度地减小影响的方法。
技术文章
功率 mosfet 数据表第 1 部分中没有的内容：温度相关性
了解 mosfet 数据表包含的内容及其不包含的内容（更重要）。
设计和开发资源
计算工具
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 mosfet。
计算工具
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 excel 的 mosfet 功率损耗计算器。
计算工具
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 mosfet。