按类别浏览
使用我们先进的分立式技术简化您的设计流程
可靠地保护您的系统免受 esd 和浪涌事件的影响
我们的静电放电 (esd)、瞬态电压抑制器 (tvs) 和齐纳二极管产品系列包含多种封装和电压选项。
优势：
- <0.5pf esd 二极管能够保护速度高达 30ghz 的数据线路，从而确保正常运行期间的信号完整性。
- 平缓钳位 tvs 技术提供了一种用于耗散浪涌瞬变的可靠凯发k8国际手机app下载的解决方案，具有精确、平稳、不受温度影响的钳位电压，可更大限度地减小施加到受保护系统的残余电压。
- 该产品系列中的汽车级器件可满足对需要高达 30kv 保护电压的系统的严格标准。
白皮书
flat-clamp surge protection technology for efficient system protection
我们的平缓钳位 tvs 二极管如何以及为何能够提供超越传统 tvs 凯发k8国际手机app下载的解决方案的浪涌保护。
通过薄膜 sicr 电阻器网络实现高性能电路
我们的薄膜硅铬电阻器网络采用交错技术来实现较高的元件间匹配，并具有抗老化和温度应力的能力。
优势：
- 薄膜 sicr 以小巧的外形实现高度交错，同时提供比厚膜凯发k8国际手机app下载的解决方案更低的闪烁噪声。
- 片上交错可以有效地使多个电阻器占据晶圆上的同一位置，从而确保晶圆上薄膜电阻材料的任何变化都会对所有电阻器产生同等影响。
- 匹配的电阻器可实现极低的比例温度系数，典型漂移为 0.2ppm/°c 或更低。
通过 burr-brown™ jfet 实现低噪声、高阻抗传感器和音频电路
与集成放大器相比，分立式结型场效应晶体管 (jfet) 可以实现低得多的噪声和相对较低的功耗，因此非常适合电感式传感器，这些传感器可能需要具有低电压和低电流噪声的放大器。
优势：
- 具有与双极结型晶体管类似的极低水平宽带电压噪声，但具有极低电流噪声的额外优势。
- 单通道灵活性和双通道匹配选项。
- 一对以单片方式装配在同一芯片上的 jfet 的匹配效果比单个晶体管要好得多，从而可以防止高增益电路中引入直流失调电压。
应用简报
ultra-low-noise jfet preamplifier design for high impedance sensors.
探索适用于高阻抗传感器的超低噪声 jfet 前置放大器设计，通过比较拓扑结构在不同源阻抗下平衡电流消耗和噪声性能。
应用简报
trade-offs between cmos, jfet, and bipolar input stage technology
了解如何区分 cmos、jfet 和双极运算放大器技术，重点关注噪声、输入阻抗、失调电压和漂移方面的权衡，以指导为低噪声应用选择器件。
实现精确的热监测，同时降低系统复杂性
线性硅基热敏电阻可在整个温度范围内保持高灵敏度，从而提高性能和可靠性。
优势：
- 无需线性化电路或基于硬件的电阻器-电容器滤波器。
- 与负温度系数 (ntc) 热敏电阻相比，可执行更快、更准确的软件转换，同时降低存储器要求。
- 无需多点校准，即可实现比 ntc 热敏电阻高多达 50% 的精度。
- 由于热质量较低，在较高温度下可实现几乎 300% 的响应速度和更高的灵敏度。
- 产品系列包括 ti 功能安全型器件和时基故障率/故障模式分布文档。
- 低自发热可更大限度地减少长期传感器温漂。
应用手册
achieve ±1°c accuracy or better across temp. w/low-cost tmp6x linear thermistors
本应用手册提供了使用 tmp6x 线性硅基热敏电阻实现更高精度的步骤和伪代码。与 ntc 不同，在任何温度下只需进行单点校准，即可实现更高的精度。
资源
该设计工具提供查询表、性能比较和代码示例，帮助您开始使用 tmp6 线性热敏电阻进行设计。
充分利用我们的振荡器中 baw 技术的优势
体声波 (baw) 谐振器在现有石英和微电子机械谐振器技术的基础上进行了许多改进。我们的产品系列包括具有 1mhz 至 400mhz 频率、业界通用封装、低功耗和宽电源电压范围的振荡器。
优势：
- 基于 baw 的晶体振荡器提供出色的可靠性（针对振动和冲击、故障间隔平均时间 (mtbf)、温度稳定性、老化和环境因素等）。
- 实现了小于 100fs 的均方根抖动。
- 使用 baw 振荡器替代石英振荡器无需任何设计或印刷电路板布局布线更改。
应用手册
独立 baw 振荡器相对于石英晶体振荡器的优势
本应用报告详细介绍了 ti baw 技术，将 baw 谐振器与振荡器电路集成以形成独立振荡器，以及使用 baw 振荡器相对于石英晶体振荡器的优势。