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低输入电容:v ds = 5v 时为 13 pf
高栅漏电压和栅源击穿电压:-40v
高跨导:30 ms
封装:soic,2mm x 2mm wson
jfe2140 是使用德州仪器 (ti) 现代高性能模拟双极工艺构建的 burr-brown™ 音频、匹配对分立式 jfet。jfe2140 具有以前较旧的分立式 jfet 技术所不具备的性能。jfe2140 在所有电流范围内均提供出色的噪声性能,静态电流可由用户设置,范围为 50 µa 至 20 ma。当偏置电流为 5 ma 时,该器件会产生 0.9 nv/√ hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (>1tω) 提供超低噪声性能。此外,按照 ±4mv 测试 jfet 之间的匹配,可为差分对配置提供低失调电压和高 cmrr 性能。jfe2140 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
jfe2140 可承受 40v 的高漏源电压,以及低至 –40v 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°c 至 125°c。
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借助 dip-adapter-evm 加快运算放大器的原型设计和测试,该 evm 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 ic 并且价格低廉。您可以使用随附的 samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
dip-adapter-evm 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
jfe2140 评估模块 (evm) 可以对 jfe2140 的基本功能进行评估。该 evm 采用闭环前置放大器配置,由 ±5v 双电源供电,提供 60db 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。
封装 | 引脚 | cad 符号、封装和 3d 模型 |
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