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低输入电容:v ds = 5v 时为 24pf
高栅漏电压和栅源击穿电压:-40 v
高跨导:68ms
封装:小型 sc70 和 sot-23
jfe150 是使用德州仪器 (ti) 的现代高性能模拟双极工艺构建的 burr-brown™ 分立式 jfet。jfe150 具有以前较旧的分立式 jfet 技术所不具备的性能。jfe150 提供出色的噪声功率效率和灵活性,静态电流可由用户设置,并为 50µa 至 20ma 的电流提供出色的噪声性能。当偏置电流为 5ma 时,该器件会产生 0.8nv/√ hz 的输入参考噪声,从而以极高的输入阻抗 (> 1tω) 提供超低噪声性能。jfe150 还具有连接到独立钳位节点的集成二极管,无需添加高泄漏、非线性外部二极管即可提供保护。
jfe150 可承受 40v 的高漏源电压,以及低至 –40v 的栅源电压和栅漏电压。该器件额定工作温度范围为 –40°c 至 125°c,并采用 5 引脚 sot-23 和 sc70 封装。
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | | | | | 2023年 5月 9日 | ||
用户指南 | | | | | 2022年 5月 23日 | |||
证书 | 2022年 2月 28日 | |||||
应用手册 | | | 2021年 10月 6日 |
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借助 dip-adapter-evm 加快运算放大器的原型设计和测试,该 evm 有助于快速轻松地连接小型表面贴装 ic 并且价格低廉。您可以使用随附的 samtec 端子板连接任何受支持的运算放大器,或者将这些端子板直接连接至现有电路。
dip-adapter-evm 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
jfe150 评估模块 (evm) 旨在对 jfe150 进行基本功能评估。该 evm 采用闭环前置放大器配置,由单个 12v 电源供电,提供 60db 增益。用户可以对各种电路配置进行修改。
封装 | 引脚 | cad 符号、封装和 3d 模型 |
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